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ALD可分為等離子ALD（PE-ALD）和熱ALD（Thermal-ALD），區(qū)別在于PE-ALD使用離子體前驅物，反應不需要加熱， 器件損傷小，主要用于沉積低k材料等介質；Thermal ALD需要加熱來發(fā)生反應，在高溫下進行反應，沉積速率較快，薄膜致密性好，但是高溫可能損傷薄膜，主要用于沉積金屬柵極/高k金屬化合物薄膜。